Дослідження прямих міжпідзонних переходів в надгратках сферичних квантових точок

Abstract

У роботі досліджується 3D-надгратка сферичних квантових точок кристалу InAs у матриці GaAs. В наближенні сильного зв’язку отримано і проаналізовано закони дисперсії електронів. Детально обчислено залежність E E k  ( )  для 1s- та 1р-підзон (m=0,±1) КТ різних радіусів. Отримано залежності густини електронних станів від енергії у 1s- та 1р-підзонах. Обчислено коефіцієнт поглинання для прямих міжпідзонних переходів, який виражається через квадрат матричного елементу електронного переходу та комбінованої густини станів.