Особливості структури голкоподібних кристалів Si0,97Ge0,03

Abstract

Методом хімічних транспортних реакцій у закритій галоїдній системі Si-Au-Pt-B-Br вирощено ниткоподібні кристали Si1-xGex складу х = 0,01– 0,08 поперечними розмірами 0,1-80 мкм. На поверхні голкоподібних кристалів, поперечними розмірами 50-80 мкм, виявлено оболонку товщиною 50-60 нм зі значною концентрацією атомів кисню та вуглецю. На внутрішніх шарах зразків піків кисню та вуглецю не спостерігалося. Показано, що стравлювання поверхневого шару приводить до покращення фізичних властивостей досліджуваних кристалів.