Вплив електричного поля на оптичні властивості домішкових квантових точок GaAs та CdS

Abstract

Досліджено оптичні властивості сферичної квантової точки з параболічним потенціалом обмеження у випадках, коли є донорна і акцепторна домішки та за наявності електричного поля. Обчислено силу осцилятора між основним і першим збудженим станами електрона для різних величин потенціалу обмеження та напруженості зовнішнього електричного поля. На основі знайдених сил осцилятора переходу отримано лінійний та нелінійний коефіцієнти поглинання та оптичний показник заломлення. Результати представлені як функції від енергії кванта падаючого світла при різних значеннях величини потенціалу й електричного поля.