Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6736
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorПелещак, Роман Михайлович-
dc.contributor.authorГрушка, В. І.-
dc.contributor.authorУгрин, Юрій Орестович-
dc.contributor.authorБрижко, В. С.-
dc.date.accessioned2025-09-26T08:57:32Z-
dc.date.available2025-09-26T08:57:32Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationВплив деформації на електронні стани полярона в квантовій точці InAs/GaAs / Р. М. Пелещак, В. І. Грушка, Юрій Орестович. Угрин, В. С. Брижко // Актуальні проблеми фізики, математики та інформатики. - 2016. - № 8. - С. 42-45.uk_UA
dc.identifier.urihttp://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6736-
dc.description.abstractРозглянуто напружену наногетеросистему InAs/GaAs із сферичними квантовими точками InAs. Показано, що в даній системі існують деформаційні поля, які виникають на межі розподілу квантова точка-матриця, що призводять до підсилення поляронних ефектів порівняно з недеформованими матеріалами. Розраховано всебічну дефорацію матеріалів КТ InAs сферичної симетрії та матриці GaAs і енергію зв’язку деформаційного електронного полярона в напруженій наногетеросистемі InAs/GaAs. Встановлено, шо деформація матеріалів квантової точки і матриці призводить до збільшення енергії зв’язку електронного полярона.uk_UA
dc.language.isouauk_UA
dc.subjectквантова точкаuk_UA
dc.subjectполяронuk_UA
dc.subjectенергія зв’язкуuk_UA
dc.subjectелектронuk_UA
dc.subjectдеформаційний потенціалuk_UA
dc.titleВплив деформації на електронні стани полярона в квантовій точці InAs/GaAsuk_UA
dc.typeСтаттяuk_UA
Розташовується у зібраннях:2016 № 8 АПФМІ

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
пелещак-брижко-2016-44-47.pdf690,66 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.