1. Репозитарій Дрогобицького державного педагогічного університету імені Івана Франка
  2. Факультет фізики, математики, економіки та інноваційних технологій
  3. Кафедра фізики та інформаційних систем
  4. Наукові видання
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/8707
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorБілинський, Ігор Васильович-
dc.contributor.authorЛешко, Роман Ярославович-
dc.contributor.authorМецан, Христина Орестівна-
dc.contributor.authorСлюсаренко, Микола Анатолійович-
dc.date.accessioned2026-02-25T07:45:19Z-
dc.date.available2026-02-25T07:45:19Z-
dc.date.issued2022-10-01-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.1016/j.physb.2022.414106-
dc.identifier.urihttp://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/8707-
dc.description.abstractThe spherical quantum dot (QD) with acceptor impurity in the external electric field has been considered. A multiband model of the valence band has been applied. Quantum Stark effect has been studied for hole levels in the QD. The influence of acceptor and electric field on hole-level splitting has been defined. Those influences will change the optical parameters of QDs.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherPhysica B: Condensed Matteruk_UA
dc.subjectHole energy spectrumuk_UA
dc.subjectMultiband hole modeluk_UA
dc.subjectLevel splittinguk_UA
dc.subjectElectric fielduk_UA
dc.subjectAcceptor impurityuk_UA
dc.titleEffect of electric field and acceptor position on the energy spectrum of GaAs/AlAs quantum dotuk_UA
dc.title.alternativeEffect of electric field and acceptor position on the energy spectrum of GaAs/AlAs quantum dotuk_UA
dc.typeСтаттяuk_UA
Розташовується у зібраннях:Наукові видання

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Scopus - Document Details.pdf161,7 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.