Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/4999
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorЛешко, Роман Ярославович-
dc.contributor.authorБілинський, Ігор Васильович-
dc.contributor.authorЛешко, Ольга Володимирівна-
dc.date.accessioned2025-02-06T13:10:28Z-
dc.date.available2025-02-06T13:10:28Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.urihttp://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/4999-
dc.description.abstractThe focus of the study is on the strained spherical quantum dot (QD) InAs/GaAs heterosystem. A singleband model of the conductive band for electrons and a multiband model of the valence band for holes have been applied. Both models take into account the deformation of the QD and matrix and polarization charges on the boundaries. The proposed models have been used for the calculation of the electron-hole exchange interaction.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherJournal of Physical Studiesuk_UA
dc.subjectexchange interactionuk_UA
dc.subjectdeformationuk_UA
dc.subjectmultiband modeluk_UA
dc.subjectpolarization chargesuk_UA
dc.subjectstrained heterosystemuk_UA
dc.titleELECTRON–HOLE EXCHANGE INTERACTION IN A SPHERICAL QUANTUM DOT WITH REGARD MATERIAL DEFORMATION AND POLARIZATION CHARGESuk_UA
dc.typeСтаттяuk_UA
Розташовується у зібраннях:Наукові видання

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1702-10.pdf592,79 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.