Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6736
Назва: Вплив деформації на електронні стани полярона в квантовій точці InAs/GaAs
Автори: Пелещак, Роман Михайлович
Грушка, В. І.
Угрин, Юрій Орестович
Брижко, В. С.
Ключові слова: квантова точка
полярон
енергія зв’язку
електрон
деформаційний потенціал
Дата публікації: 2016
Бібліографічний опис: Вплив деформації на електронні стани полярона в квантовій точці InAs/GaAs / Р. М. Пелещак, В. І. Грушка, Юрій Орестович. Угрин, В. С. Брижко // Актуальні проблеми фізики, математики та інформатики. - 2016. - № 8. - С. 42-45.
Короткий огляд (реферат): Розглянуто напружену наногетеросистему InAs/GaAs із сферичними квантовими точками InAs. Показано, що в даній системі існують деформаційні поля, які виникають на межі розподілу квантова точка-матриця, що призводять до підсилення поляронних ефектів порівняно з недеформованими матеріалами. Розраховано всебічну дефорацію матеріалів КТ InAs сферичної симетрії та матриці GaAs і енергію зв’язку деформаційного електронного полярона в напруженій наногетеросистемі InAs/GaAs. Встановлено, шо деформація матеріалів квантової точки і матриці призводить до збільшення енергії зв’язку електронного полярона.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6736
Розташовується у зібраннях:2016 № 8 АПФМІ

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
пелещак-брижко-2016-44-47.pdf690,66 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.